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升级固态硬盘要注意，新一代25nm制程芯片问题总汇
25nm闪存固态硬盘容量缩水问题浮现
制造工艺的更新换代可以给闪存带来性能提升和成本的下降，这在玩家心目中几乎是公认的事实。然而大多数人可能忽略了事情的另一面，即闪存制造工艺升级带来的寿命问题。
随着半导体制程的进步，NAND闪存的可靠性会明显下降，需要付出更多的代价来满足ECC纠错需求，并预留更多存储单元来用于闪存老化，部分存储单元寿命用尽后的屏蔽、替代问题。比如，目前大量在固态硬盘中使用的34nm MLC NAND闪存的存储单元实际写入寿命大概在5000次左右，而25nm闪存则只有3000次。
Intel和美光的合资企业是目前唯一能够量产25nm工艺NAND闪存的厂商，但这两家公司的25nm闪存固态硬盘产品却还没有批量上市。倒是在SSD领域动作频频的OCZ，已经拿出了搭配25nm闪存的SandForce方案Vertex 2系列产品。
据已经购得新版本Vertex 2固态硬盘的用户报告，120GB容量的25nm版产品在格式化前的实际容量只有115GB，比之前34nm版本少了5GB。OCZ在官方客服论坛上对此解释称，为了让SSD达到合理的预期使用寿命，他们不得不将预留闪存空间提高了几个GB，因此“120GB硬盘未格式化容量仅有115GB是完全正常的”。
对于容量虚标的质疑，OCZ也无奈的表示，固态硬盘内安装的NAND闪存芯片容量总和确实没有改变，因此不存在什么缩水、虚标的问题。5GB的附加容量开销是SandForce控制器的RAISE校验功能决定的，而该功能无法被厂商关闭，因此他们也没有办法改变。
升级25nm阵痛 OCZ免费更换缩水固态硬盘
美光合资企业早在去年上半年就已经开始出货25nm工艺NAND闪存，但至今我们还很少能够在固态硬盘中看到新制程闪存的身影。直到u]OCZ开始在自己的SSD中抢先应用25nm闪存[/url]，人们才发现了其中的奥妙，原来从3xnm升级到25nm带来的并不全都是好消息。
除了我们上周已经报道过的25nm闪存寿命缩短，导致硬盘需要预留更多冗余空间，用户可用容量缩水问题[/url]外。OCZ悄然更新的25nm闪存版Vertex 2系列硬盘还遇到了性能缩水的问题。
[/td][/tr][/table]Intel美光合资企业早在去年上半年就已经开始出货25nm工艺NAND闪存，但至今我们还很少能够在固态硬盘中看到新制程闪存的身影。直到OCZ开始在自己的SSD中抢先应用25nm闪存，人们才发现了其中的奥妙，原来从3xnm升级到25nm带来的并不全都是好消息。
除了我们上周已经报道过的25nm闪存寿命缩短，导致硬盘需要预留更多冗余空间，用户可用容量缩水问题外。OCZ悄然更新的25nm闪存版Vertex 2系列硬盘还遇到了性能缩水的问题。
从拆解后的对比照片可以看出，同为60GB容量Vertex 2，左侧的32nm海力士闪存版本使用了16颗32Gbit闪存，右侧的25nm美光闪存版本则只使用了8颗64Gbit颗粒。相应的，主控芯片在进行闪存读写时的通道数下降了一半，导致在一些应用中写入性能明显下滑。这一情况对于60GB这样的小容量型号尤其明显。
OCZ日前已经宣布，对遇到这一问题的美国用户提供免费更换服务，并将负担往返邮寄费用。更换后的新硬盘仍将使用25nm闪存，但会改用32Gbit颗粒以保证读写通道数，同时由于芯片数量增加，可减少部分冗余空间，增加用户可支配容量。
海盗船发布两款25nm固态硬盘，新版容量缩水，性能减弱
Force F80A、F115分别是现有34nm工艺产品F80、F120的进化版本，容量方面前者不变，后者缩水了5GB，性能方面读写速度均降低了5MB/s，其他完全相同。
1、25nm工艺是什么？
25nm代表制造闪存IC的晶体管尺寸。随着制造工艺的进步，闪存IC容量越来越大，制造成本也越来越低。
2、25nm与早期工艺有何不同？
基于25nm晶体管的闪存IC相比旧工艺有些特殊，因为它们如此之小，存储电荷开始变得很困难。为了弥补这一缺憾，工程师们加入了特制的错误纠正电路。不幸的是，在确保数据安全、完整的同时，这些晶体管对整体容量和/或性能产生了一定的影响。
3、是否所有固态硬盘供应商都会转向25nm？
是的。到今年春天末期，34nm IC会从市场上彻底消失，所有供应商都不再提供。更进一步，随着工艺的成熟，25nm固态硬盘的单位容量价格很可能会比34nm便宜得多。
4、海盗船何时开始这种转换？
我们已经开始了，刚刚宣布了首批25nm产品，F80、F115。
5、如何分辨我的固态硬盘基于何种工艺？
海盗船所有25nm Force固态硬盘的产品编号都会以“-A”结尾。如果同等容量型号在34nm产品中已经存在，我们会明确标出任何降低的规格。举个例子，现在的34nm F80标称读写速度为285MB/s、275MB/s，F80-A则是280MB/s、270MB/s。看到印在硬盘表面的产品编号就能很容易分辨出来。
Mushkin对25nm固态硬盘说不
尽管25nm工艺NAND闪存出现了容量缩水、寿命缩减的问题，OCZ、海盗船等厂商还是义无反顾地开始推行25nm固态硬盘产品，不过也并不是每家厂商都愿意如此冒险，老牌存储厂商Mushkin今天就宣布，暂时不会推出25nm固态硬盘产品。
Mushkin解释说，25nm闪存工艺对制造厂商和消费者来说都能够降低成本，但是其固有的内在缺陷尚未完全解决，也就是25nm NAND芯片与控制器的交互方式不可避免地导致整体容量减少，此外新工艺芯片的擦写循环次数也比34nm芯片少得多，导致固态硬盘寿命缩短。
Mushkin认为消费者现在还无法完全享受25nm新工艺的种种好处，因此将继续提供34nm固态硬盘产品Io系列、Colllisto Pro系列，保证消费者得到预想的体验。
不过Mushkin也给自己留了后路，说只要25nm闪存技术得到完善，也会在第一时间跟进。
升级25nm阵痛 OCZ免费更换缩水固态硬盘
Intel美光合资企业早在去年上半年就已经开始出货25nm工艺NAND闪存，但至今我们还很少能够在固态硬盘中看到新制程闪存的身影。直到OCZ开始在自己的SSD中抢先应用25nm闪存，人们才发现了其中的奥妙，原来从3xnm升级到25nm带来的并不全都是好消息。
除了我们上周已经报道过的25nm闪存寿命缩短，导致硬盘需要预留更多冗余空间，用户可用容量缩水问题外。OCZ悄然更新的25nm闪存版Vertex 2系列硬盘还遇到了性能缩水的问题。
看来25nm是个坎啊~SLC价格又贵
特别是用固态硬盘录音的话就会有大量的IO操作
按这个趋势，SSD的寿命会一代不如一代~~
[ 本帖最后由 32768 于 11-2-21 19:58 编辑 ]
制造工艺的更新换代可以给闪存带来性能提升和成本的下降，这在玩家心目中几乎是公认的事实。然而大多数人可能忽略了事情的另一面，即闪存制造工艺升级带来的寿命问题。
随着半导体制程的进步，NAND闪存的可靠性会明显下降，需要付出更多的代价来满足ECC纠错需求，并预留更多存储单元来用于闪存老化，部分存储单元寿命用尽后的屏蔽、替代问题。比如，目前大量在固态硬盘中使用的34nm MLC NAND闪存的存储单元实际写入寿命大概在5000次左右，而25nm闪存则只有3000次。
Intel和美光的合资企业是目前唯一能够量产25nm工艺NAND闪存的厂商，但这两家公司的25nm闪存固态硬盘产品却还没有批量上市。倒是在SSD领域动作频频的OCZ，已经拿出了搭配25nm闪存的SandForce方案Vertex 2系列产品。
据已经购得新版本Vertex 2固态硬盘的用户报告，120GB容量的25nm版产品在格式化前的实际容量只有115GB，比之前34nm版本少了5GB。OCZ在官方客服论坛上对此解释称，为了让SSD达到合理的预期使用寿命，他们不得不将预留闪存空间提高了几个GB，因此“120GB硬盘未格式化容量仅有115GB是完全正常的”。
对于容量虚标的质疑，OCZ也无奈的表示，固态硬盘内安装的NAND闪存芯片容量总和确实没有改变，因此不存在什么缩水、虚标的问题。5GB的附加容量开销是SandForce控制器的RAISE校验功能决定的，而该功能无法被厂商关闭，因此他们也没有办法改变。
升级25nm阵痛 OCZ免费更换缩水固态硬盘
美光合资企业早在去年上半年就已经开始出货25nm工艺NAND闪存，但至今我们还很少能够在固态硬盘中看到新制程闪存的身影。直到u]OCZ开始在自己的SSD中抢先应用25nm闪存[/url]，人们才发现了其中的奥妙，原来从3xnm升级到25nm带来的并不全都是好消息。
除了我们上周已经报道过的25nm闪存寿命缩短，导致硬盘需要预留更多冗余空间，用户可用容量缩水问题[/url]外。OCZ悄然更新的25nm闪存版Vertex 2系列硬盘还遇到了性能缩水的问题。
[/td][/tr][/table]Intel美光合资企业早在去年上半年就已经开始出货25nm工艺NAND闪存，但至今我们还很少能够在固态硬盘中看到新制程闪存的身影。直到OCZ开始在自己的SSD中抢先应用25nm闪存，人们才发现了其中的奥妙，原来从3xnm升级到25nm带来的并不全都是好消息。
除了我们上周已经报道过的25nm闪存寿命缩短，导致硬盘需要预留更多冗余空间，用户可用容量缩水问题外。OCZ悄然更新的25nm闪存版Vertex 2系列硬盘还遇到了性能缩水的问题。
从拆解后的对比照片可以看出，同为60GB容量Vertex 2，左侧的32nm海力士闪存版本使用了16颗32Gbit闪存，右侧的25nm美光闪存版本则只使用了8颗64Gbit颗粒。相应的，主控芯片在进行闪存读写时的通道数下降了一半，导致在一些应用中写入性能明显下滑。这一情况对于60GB这样的小容量型号尤其明显。
OCZ日前已经宣布，对遇到这一问题的美国用户提供免费更换服务，并将负担往返邮寄费用。更换后的新硬盘仍将使用25nm闪存，但会改用32Gbit颗粒以保证读写通道数，同时由于芯片数量增加，可减少部分冗余空间，增加用户可支配容量。
海盗船发布两款25nm固态硬盘，新版容量缩水，性能减弱
Force F80A、F115分别是现有34nm工艺产品F80、F120的进化版本，容量方面前者不变，后者缩水了5GB，性能方面读写速度均降低了5MB/s，其他完全相同。
1、25nm工艺是什么？
25nm代表制造闪存IC的晶体管尺寸。随着制造工艺的进步，闪存IC容量越来越大，制造成本也越来越低。
2、25nm与早期工艺有何不同？
基于25nm晶体管的闪存IC相比旧工艺有些特殊，因为它们如此之小，存储电荷开始变得很困难。为了弥补这一缺憾，工程师们加入了特制的错误纠正电路。不幸的是，在确保数据安全、完整的同时，这些晶体管对整体容量和/或性能产生了一定的影响。
3、是否所有固态硬盘供应商都会转向25nm？
是的。到今年春天末期，34nm IC会从市场上彻底消失，所有供应商都不再提供。更进一步，随着工艺的成熟，25nm固态硬盘的单位容量价格很可能会比34nm便宜得多。
4、海盗船何时开始这种转换？
我们已经开始了，刚刚宣布了首批25nm产品，F80、F115。
5、如何分辨我的固态硬盘基于何种工艺？
海盗船所有25nm Force固态硬盘的产品编号都会以“-A”结尾。如果同等容量型号在34nm产品中已经存在，我们会明确标出任何降低的规格。举个例子，现在的34nm F80标称读写速度为285MB/s、275MB/s，F80-A则是280MB/s、270MB/s。看到印在硬盘表面的产品编号就能很容易分辨出来。
Mushkin对25nm固态硬盘说不
尽管25nm工艺NAND闪存出现了容量缩水、寿命缩减的问题，OCZ、海盗船等厂商还是义无反顾地开始推行25nm固态硬盘产品，不过也并不是每家厂商都愿意如此冒险，老牌存储厂商Mushkin今天就宣布，暂时不会推出25nm固态硬盘产品。
Mushkin解释说，25nm闪存工艺对制造厂商和消费者来说都能够降低成本，但是其固有的内在缺陷尚未完全解决，也就是25nm NAND芯片与控制器的交互方式不可避免地导致整体容量减少，此外新工艺芯片的擦写循环次数也比34nm芯片少得多，导致固态硬盘寿命缩短。
Mushkin认为消费者现在还无法完全享受25nm新工艺的种种好处，因此将继续提供34nm固态硬盘产品Io系列、Colllisto Pro系列，保证消费者得到预想的体验。
不过Mushkin也给自己留了后路，说只要25nm闪存技术得到完善，也会在第一时间跟进。
升级25nm阵痛 OCZ免费更换缩水固态硬盘
Intel美光合资企业早在去年上半年就已经开始出货25nm工艺NAND闪存，但至今我们还很少能够在固态硬盘中看到新制程闪存的身影。直到OCZ开始在自己的SSD中抢先应用25nm闪存，人们才发现了其中的奥妙，原来从3xnm升级到25nm带来的并不全都是好消息。
除了我们上周已经报道过的25nm闪存寿命缩短，导致硬盘需要预留更多冗余空间，用户可用容量缩水问题外。OCZ悄然更新的25nm闪存版Vertex 2系列硬盘还遇到了性能缩水的问题。
看来25nm是个坎啊~SLC价格又贵
特别是用固态硬盘录音的话就会有大量的IO操作
按这个趋势，SSD的寿命会一代不如一代~~
[ 本帖最后由 32768 于 11-2-21 19:58 编辑 ]
